计算溶液所需的质量、体积或浓度。
为什么选择此级别
，适用于对基线干扰要求严格的色谱和分析工作流程。
储存与运输
室温。 。请查阅批次 COA 获取详细规格。
质量文档
SDS、COA、产品数据表及规格说明书均可下载。可通过批号查询获取批次 COA。
文献证明
在色谱分析、有机合成和交叉偶联反应领域已被 0 篇同行评审文献引用。
概述
Description
Pure Strip is suitable for stripping both positive and negative photoresists in addition to other organic compounds in a variety of semiconductor, photomask, and IC photolithography compounds. High yields can be achieved due to the high purity/low particulate composition of Pure Strip.Advantages Pure Strip include negligible attack on exposed metal surfaces, including aluminum, vs. other acidic formulations, residue-free rinsing, and extended bath life (minimum of five days at room temperature). Pure Strip is ready to use and requires no mixing.Pure Strip may be used at room temperature or at elevated temperature. Higher temperatures will increase the activity but decrease the bath life (1 day at 60-80 °C). Substrates are stripped of photoresist and cleaned effectively with minimal attack on aluminum (approximately 35 Angstroms/minute at room temperature) and negligible attack on other metals and alloys such as titanium, Ti-tungsten, copper, tantalum silicide, and ITO.
规格
规格或纯度
稳定硫酸过氧化氢化合物
英文名称
Pure Strip
储存条件
室温
名称和识别符
分子类型
小分子
技术文档
高级数据
安全和危险性（GHS）
信号词
危险
危险声明
H290: 可能腐蚀金属
H314: 造成严重的皮肤灼伤和眼睛损伤
预防措施声明
P234: 仅保存在原始容器中
P280: 戴防护手套/穿防护服/戴防护眼罩/戴防护面具。
P301+P330+P331: 如误吞咽：漱口。不要诱导呕吐。
P303+P361+P353: 如皮肤（或头发）沾染：立即脱掉所有沾染的衣服。用水清洗皮肤/淋浴。
P305+P351+P338: 如进入眼睛：用水小心冲洗几分钟。如戴隐形眼镜并可方便地取出，取出隐形眼镜。继续冲洗。
质检证书（CoA,COO,BSE/TSE 和分析图谱)
C of A & Other Certificates(BSE/TSE, COO):
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溶液计算器
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