【阿拉丁】半导体科研试剂:赋能半导体技术创新的优质材料-1

【阿拉丁】半导体科研试剂:赋能半导体技术创新的优质材料-1
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【阿拉丁】半导体科研试剂:赋能半导体技术创新的优质材料-1

 

        从AI算力芯片的精准运算,到5G基站光电子器件的信号传输,再到新能源汽车功率模块的稳定运行,半导体技术的推进离不开靠谱的半导体科研试剂。它不仅是晶圆清洗、薄膜沉积、图形转移、器件封装等环节的刚需材料,更是保障实验数据可靠、提升器件良率的关键抓手。而阿拉丁作为深耕半导体化学品领域的品牌,其产品已成为众多科研团队的放心之选。

        阿拉丁半导体科研试剂,覆盖研发全场景需求——既包含湿电子化学品、基底材料、介电材料,也涵盖光刻胶原料、CVD/ALD前驱体,能精准匹配半导体制造“清洗-成膜-光刻-封装”全流程。无论是集成电路(IC)的CMOS工艺研发,功率器件的高频/高温适配测试,还是光电子器件的激光、调制器开发,都能找到适配的解决方案。



一、产品优势

1、高纯度保障:多数产品采用PrimorTrace™级标准,金属杂质含量低至ppm/ppb级,满足半导体先进工艺对“低污染”的要求。

2、全品类覆盖:产品涵盖湿电子化学品、基底、介电材料、光刻胶原料、CVD/ALD前驱体,覆盖半导体制造“清洗-成膜-光刻-封装”关键环节,一站式解决材料需求。

3、现货快速交付:核心产品现货充足,缩短研发与生产周期,避免因材料短缺中断流程。

4、严格质量管控:每批产品均经过严格的质量检测,提供完整质检报告,确保批次一致性与可靠性。



二、选择阿拉丁,让半导体研发更高效

 

        阿拉丁致力于支撑半导体创新,凭借高纯度、高质量的全面化学品品类,覆盖从研发到量产的全阶段需求,助推产业升级与科技发展。

 

分类 货号 产品名称 CAS 规格 用途
湿电子化学品 H433855 过氧化氢 溶液(易制爆) 7722-84-1 ≥99.999% metals basis contains potassium stannate as inhibitor, semiconductor grade,30-32 wt. % in water 硅材料的清洗和腐蚀
湿电子化学品 H116237 氢氟酸 7664-39-3 电子级 PrimorTrace™ Ultra ≥99.99998% metals basis 49wt. % in H2O 刻蚀二氧化硅(SiO2)以及清洗石英器皿
湿电子化学品 S399876 硫酸(易制毒) 7664-93-9 PrimorTrace™ ≥99.999% metals basis “piranha”溶液(7份H2SO4和3份30%的双氧水)用来清洗硅片
湿电子化学品 P123765 磷酸 7664-38-2 电子级 刻蚀氮化硅(Si3N4)
湿电子化学品 H466585 盐酸(易制毒) 7647-01-0 PrimorTrace™ ≥99.999% metals basis 37wt. % in H₂O 湿法清洗化学品,2号标准清洗液的一部分,用来去除硅中的重金属元素
湿电子化学品 N116245 硝酸(易制爆) 7697-37-2 PrimorTrace™ ≥99.999% metals basis 70% 用HF和HNO3的混合溶液来刻蚀磷硅酸盐玻璃(PSG)
湿电子化学品 A116171 冰乙酸 64-19-7 电子级 ≥99.7% 用于晶圆清洗、光刻胶去除及蚀刻工艺
湿电子化学品 A431915 氢氧化铵 溶液 1336-21-6 ≥99.99% metals basis 28%-30% NH3 in H₂O 清洗剂
湿电子化学品 S163080 氢氧化钠 1310-73-2 电子级 ≥99.9% metals basis 湿法刻蚀
湿电子化学品 T131029 四甲基氢氧化铵溶液 75-59-2(water) 超纯级 用于痕量分析,25%水溶液 正性光刻胶显影剂
湿电子化学品 P112287 氢氧化钾 1310-58-3 电子级 ≥99.999% metals basis excludes sodium content 正性光刻胶显影剂
湿电子化学品 W119424 去离子水 7732-18-5 去离子的 广泛用于漂洗硅片和稀释清洗剂
湿电子化学品 I419710 异丙醇(IPA) 67-63-0 PrimorTrace™ 电子级 ≥99.999% metals basis 通用的清洗剂
湿电子化学品 A399711 丙酮(易制毒) 67-64-1 UltraPureChrom™ 色谱HPLC级 用于液相色谱(for HPLC) ≥99.9% 通用的清洗剂(比IPA更强)
湿电子化学品 T100715 三氯乙烯 79-01-6 ACS ≥99.5% 用于硅片和一般用途的清洗溶剂
湿电子化学品 X112054 二甲苯 1330-20-7 ACS ≥98.5% isomers plus ethylbenzene 用于去除硅片表面的污染物和光刻胶
基底材料 F108390 二茂铁 102-54-5 ≥99% 用于掺杂和电极沉积
基底材料 B283697 二茂镁 1284-72-6 ≥99.9998% metals basis 用于掺杂和电极沉积
基底材料 T109127 钛粉 7440-32-6(powder) PrimorTrace™ ≥99.99% metals basis powder,≥300目 用于制备晶体管、电阻、电容等
基底材料 H106102 铪粒 7440-58-6 ≥99.9% metals basis 1-10mm 用于制备晶体管、电阻、电容等
基底材料 A434752 铝 7429-90-5 PrimorTrace™ ≥99.999% metals basis pellets,3-8 mesh 用于制备晶体管、电阻、电容等
基底材料 P104469 赤磷 7723-14-0 PrimorTrace™ ≥99.999% metals basis lumps,1-5mm 用于制备晶体管、电阻、电容等
基底材料 B105888 高纯硼粉 7440-42-8 PrimorTrace™ ≥99.99% metals basis powder,≥300目 用于制备晶体管、电阻、电容等
基底材料 S105195 硒粉 7782-49-2 PrimorTrace™ ≥99.999% metals basis D50 ≥80目 用于制备晶体管、电阻、电容等
基底材料 T130110 碲粉 13494-80-9 PrimorTrace™ ≥99.999% metals basis ≥100目 用于制备晶体管、电阻、电容等
基底材料 N140012 纳米金刚石/钻石粉末 7782-40-3 ≥99% 30-50nm 用于制备晶体管、电阻、电容等
基底材料 C105151 锗粒 7440-56-4 PrimorTrace™ ≥99.999% metals basis 1-3mm 用于制备晶体管、电阻、电容等
基底材料 G105132 金属镓 7440-55-3 PrimorTrace™ Ultra ≥99.99999% metals basis 用于制备晶体管、电阻、电容等
基底材料 T108796 高纯锡 7440-31-5 PrimorTrace™ ≥99.999% metals basis granular,1-6mm 用于制备晶体管、电阻、电容等
基底材料 S108980 硅 7440-21-3 PrimorTrace™ ≥99.99% metals basis 1-3mm 主流 CMOS
基底材料 S104650 碳化硅 409-21-2 ≥99.9% metals basis 宽禁带;适用于苛刻环境
基底材料 G119228 氮化镓 25617-97-4 PrimorTrace™ ≥99.99% metals basis 常外延在硅或蓝宝石上
基底材料 G119227 砷化镓 1303-00-0 PrimorTrace™ ≥99.999% metals basis pieces 电子迁移率高
基底材料 I119217 磷化铟 22398-80-7 ≥99.998% metals basis 3-20目 激光、调制器、高频
介电材料 S305533 硅微粉 14808-60-7 ≥99.9% metals basis sphere,35μm 栅氧、层间介质、隔离
介电材料 S106133 氮化硅 12033-89-5 ≥99.9% metals basis α相 钝化、间隔层
CVD 和 ALD 前驱体源 N303439 乙氧基铌 (NbOEt) 3236-82-6 ≥99.95% metals basis 用于CVD/ALD薄膜材料
CVD 和 ALD 前驱体源 H281777 己基(二甲氨基)二铝 32093-39-3 ≥98%,≥99.9% metals basis 用于CVD/ALD薄膜材料
CVD 和 ALD 前驱体源 B283568 双(二乙氨基)硅烷 27804-64-4 ≥99% 用于CVD/ALD薄膜材料
CVD 和 ALD 前驱体源 G168548 异丙醇锗 21154-48-3 ≥97% 用于CVD/ALD薄膜材料
CVD 和 ALD 前驱体源 T282622 (叔丁基酰亚胺)三(二乙氨基)铌(V) 210363-27-2 ≥98% 用于CVD/ALD薄膜材料
CVD 和 ALD 前驱体源 P283060 五(二甲氨基)钽(V) 19824-59-0 PrimorTrace™, ≥99.99% metals basis 用于CVD/ALD薄膜材料
CVD 和 ALD 前驱体源 T475149 四(二乙基酰胺)铪(IV) 19824-55-6 PrimorTrace™, ≥99.99% metals basis 用于CVD/ALD薄膜材料

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