后过渡金属与其盐类：从定义到产业链应用的分类导航（含表1–表4产品清单）
后过渡金属与其盐类：从定义到产业链应用的分类导航（含表1–表4产品清单）
什么是后过渡金属？
后过渡金属通常指：在周期表中位于过渡金属右侧、靠近类金属/非金属分界的一批“主族金属”（多在 p 区），也常被称为 poor metals / p-block metals / other metals 等。这是教学/工程语境的分类标签，不是 IUPAC 严格定义的元素族。它的核心用途是“方便描述一类性质介于典型金属与类金属之间、化学上更偏主族行为的金属”。
边界为什么不唯一？
和“类金属”类似，后过渡金属没有全球统一的硬边界：不同教材/文献对是否把某些元素（尤其 Zn/Cd/Hg 或 Cu/Ag/Au、Po 等）算进来并不一致；但很多来源都强调一组“几乎总被包含的核心元素”。
在多数工程/材料语境里，最常被当作后过渡金属（或其核心集合）的元素是：
- Al、Ga、In、Sn、Tl、Pb、Bi（有时加 Po）
- 并且常见共识是 Ga、In、Sn、Tl、Pb、Bi 属于“核心集合”
后过渡金属典型共性
后过渡金属常被拿出来单独成类，通常因为它们相对典型过渡金属更常见这些特征：
- 更靠近金属—非金属边界：结构/键合里更容易出现方向性/共价性增强的特征；不少体系出现两性氧化物/氢氧化物与阴离子络合物（如 aluminate、stannate 等）。
- 价态更“主族化”：不像典型过渡金属那样依赖未充满 d 轨道带来丰富可变价与配位化学（当然仍能形成配合物）。
- 惰性电子对效应（inert pair effect）: 对于较重的 p 区金属（尤其 Tl、Pb、Bi，也包括 Sn 的一部分化学），最外层的 ns² 电子对往往“更不愿意参与成键”，导致较低氧化态更稳定：Tl(I) 比 Tl(III) 更常见、Pb(II) 比 Pb(IV) 更常见、Bi(III) 比 Bi(V) 更常见，Sn(II)/Sn(IV) 都很常见（条件不同，稳定性与反应性不同）。这也解释了为什么这些元素常带有“孤对电子”相关的结构效应与明显的水解/配位差异。
对照：IUPAC 对“过渡元素”的定义是：原子具有不完整 d 亚层，或能形成具有不完整 d 亚层的阳离子。后过渡金属通常不满足这一点（至少不以此为化学主驱动）。
什么是后过渡金属盐？
后过渡金属盐以“后过渡金属元素”形成的阳离子（如 Al³⁺、Sn²⁺/Sn⁴⁺、Pb²⁺、Bi³⁺ 等）为中心，与阴离子（Cl⁻、NO₃⁻、SO₄²⁻、RCOO⁻、OH⁻、卤配阴离子等）组成的离子化合物/盐类；在很多场景也包括它们在溶液中的盐形态与水解/络合平衡。
按试剂/工程语境理解：指一类常作为金属源出售与使用的卤化物、硝酸盐、硫酸盐、羧酸盐、氧化物/氢氧化物及其水合物/络合形态；它们在固态与溶液中可能呈现离子、分子或聚合/络合等不同结构。
这类盐在工程上常被当作“可称量、可溶/可配、可转化的金属源”，用来：
- 提供金属离子（做反应/催化/络合）
- 作为前驱体（热分解/水解/沉淀/溶胶凝胶 → 氧化物/硫化物/卤化物薄膜与粉体）
- 做功能添加剂（絮凝、稳定、阻燃、颜料、镀层、电子材料配方等）
它们重要吗？为什么重要？
重要：它们支撑了显示、半导体、焊接互连、电化学储能、水处理、合金与替代无铅材料等关键产业链。
- 铟（In）：ITO 透明导电薄膜长期是最主要用途之一，广泛用于平板显示与触控；也用于部分合金/焊料、化合物与半导体领域。
- 镓（Ga）：GaN 主要用于 LED/激光二极管、功率电子与射频电子；GaAs 用于多种化合物半导体器件。
- 锡（Sn）：应用主要集中在镀锡板/包装（tinplate）、焊料与合金，以及化学品体系（“锡化学品”链条的重要来源）。
- 铅（Pb）：消费结构高度集中在铅酸电池；在涂料、汽油添加剂、焊料、水系统等非电池用途上的使用因监管等因素长期下降（占比随年份/地区波动）。
- 铝盐（如硫酸铝、聚合氯化铝等）：饮用水/污水处理中常用的混凝剂/絮凝体系；效果与 pH/碱度/投加条件密切相关。
- 铋（Bi）：在冶金与合金中常被作为铅的替代方案之一（需结合性能与回收链条评估）；同时铋盐在胃肠道相关药物中有成熟应用。
- Tl（铊）：用途更偏特种（红外光学、γ 探测等），但因高毒性与合规约束，通常只在受控研发/特种链条中出现。
主要在哪些领域使用？扮演什么作用？
类别 | 典型元素/化学形态（举例） | 典型应用材料/场景 | 主要角色 | 选型提示 |
A 电子与光电 | In/Sn 盐（溶液法金属源）ITO/IGZO/FTO 氧化物体系（靶材/薄膜）有机镓前驱体 TMGa/TEGa（外延） | ITO 透明电极；IGZO TFT 背板；CIGS 薄膜光伏；GaN/GaAs 外延 | “做薄膜/做半导体”的上游金属源 | 溶液法看溶解性/水解；外延看前驱体挥发性/纯度；PVD 多对应氧化物靶材体系 |
B 互连与合金 | Sn 基合金；Bi 合金添加 | 焊料（含无铅焊料）、低温焊；易切削合金/钢；无铅替代 | “连接/调性能/替代 Pb” | 关注合金体系与熔点窗口；Bi 常用于无铅替代与改善可加工性 |
C 能源与电化学 | Pb/PbO₂；Sn/Bi/In/Ga 的氧化物/合金/掺杂前驱体 | 铅酸电池；部分电极/催化/导电氧化物（多为细分或研发导入） | “电池主链 + 新体系材料构件” | 强调：Pb-acid 是成熟大宗；其余往往需按体系/形态/纯度细分 |
D 水处理与环境 | Al₂(SO₄)₃（明矾/硫酸铝）PACl/PAC（预水解聚铝） | 饮用水/污水混凝除浊、去胶体/有机物 | “把处理物聚起来沉下去/过滤掉” | 机制常概括为电中和 + 网捕/扫除絮凝；强依赖 pH/碱度/投加量 |
E 有机合成与催化 | AlCl₃、GaCl₃、InCl₃、SnCl₄（Lewis 酸）SnCl₂（还原性）部分 Bi(III) 盐（Lewis 酸/温和条件） | 羰基/环氧等活化、选择性提升、工艺窗口优化 | “让反应更快/更选择性/更可放大” | 选型优先看：价态（Sn(II) vs Sn(IV)）、含水敏感性、配位/副反应风险 |
F 医药与生命科学 | 次水杨酸铋等铋盐（胃肠道用药）Al(OH)₃、铝磷酸盐等（疫苗佐剂） | 胃肠道制剂；疫苗佐剂等生物制剂配方 | “特定药物成分/制剂功能组分” | 安全提示：元素/形态差异大；铝盐佐剂与铋盐都有成熟应用，但并非“天然安全标签” |
如何分类？是哪类后过渡金属盐、该怎么用
层级 | 关注信息 | 能得到的结论 | 常见例子 |
Step 1 元素 | 元素符号/金属名：Al, Ga, In, Sn, Tl, Pb, Bi | 大方向：产业链用途 + 合规/毒性等级 | In→显示/ITO；Ga→GaN/GaAs；Sn→焊料/化学品；Pb→电池；Al→水处理；Bi→无铅替代/药物 |
Step 2 价态（氧化态） | (III)/(II)/(IV)/(I) 或 “Sn(II)”“Sn(IV)” 等 | 反应性/稳定性框架：还原/氧化、Lewis 酸强弱、水解趋势 | Sn(II) 往往更还原、更易被氧化；Sn(IV) 更稳定、更 Lewis 酸；Tl 常见 +1；Pb 常见 +2；Bi 常见 +3 |
Step 3 阴离子（盐型） | Cl⁻ / Br⁻ / NO₃⁻ / SO₄²⁻ / OAc⁻（乙酸根）/ RCOO⁻ / OH⁻ | 溶解性、含水敏感、是否适合做溶液金属源 | AlCl₃（无水）强吸水易水解；Pb(NO₃)₂ 常作为可溶铅源；硫酸盐/碳酸盐常更偏“沉淀/陶瓷路线” |
Step 3.5 水合/溶剂化 | anhydrous、·xH₂O、·MeCN、solution 等 | 同名化学品可能“有效金属含量、活性、放热水解行为”都不同 | “BiCl₃” vs “BiCl₃·xH₂O”；“AlCl₃（无水）”遇水强放热；“金属硝酸盐水合物”常见含水 |
元素—价态—典型形态—选型要点
元素 | 常见价态 | 典型举例 | 常见角色 | 选型要点 |
Al | +3 | AlCl₃；Al₂(SO₄)₃；PAC | Lewis 酸/催化；水处理混凝；无机材料前驱体 | 水体系重点看水解/碱度窗口；无水卤化物强吸水 |
Ga | +3 | GaCl₃、Ga(NO₃)₃；有机镓前驱体（外延） | 光电/半导体上游金属源 | 电子级路线常更看纯度与前驱体形态 |
In | +3 | InCl₃、In(NO₃)₃；配合物前驱体 | ITO/显示相关；材料前驱体 | 溶液法关注水解/络合与杂质控制 |
Sn | +2/+4 | SnCl₂、SnCl₄；有机锡/羧酸锡 | 焊料/合金；材料前驱体；选择性试剂 | 先分清 Sn(II) vs Sn(IV)（反应性差别巨大） |
Tl | +1/+3 | TlNO₃、TlCl | 少量特种用途/研究 | 高毒高约束，合规优先 |
Pb | +2（+4少） | Pb(NO₃)₂、Pb(OAc)₂、PbO | 铅酸电池链；受监管用途下降 | 多数场景只需认识 Pb(II) 主导与合规限制 |
Bi | +3 | Bi(NO₃)₃、BiCl₃；部分药物盐 | 无铅替代合金添加；催化/药物 | Bi(III)为主；常见“碱式盐/氧卤化物”等中间形态 |
后过渡金属代表产品分类表（表1–表4）
四张产品表导航
- 表1｜Pb（铅）：铅氧化物/铅盐转化、卤化铅（PbCl₂/PbBr₂/PbI₂）与有机铅氧化剂（四乙酸铅）相关。毒性/合规优先确认。
- 表2｜Sn（锡）：锡卤化物/锡氧化物（SnO₂/SnO）、Sn(II) 还原性盐（SnCl₂ 等）与有机锡催化剂（DBTDL、异辛酸亚锡）。
- 表3｜Bi（铋）：Bi₂O₃、BiOCl 及各类铋盐（硝酸盐/乙酸盐/氯化物）——偏光催化、陶瓷玻璃改性、铋盐前驱体。
- 表4｜In/Ga/Tl/Al + ITO + 标准品：透明导电/半导体与薄膜沉积（ALD/MOCVD）、高纯前驱体与各类标准溶液/热分析标准；Tl 极毒，仅限合规材料研究。
表内怎么快速选择
- 做材料本体：优先看氧化物/功能氧化物（如 ITO、In₂O₃、Ga₂O₃、SnO₂、Bi₂O₃）。
- 做前驱体/溶液法：优先看硝酸盐/卤化物/配合物（acac）；水敏体系选超干/无水/高纯。
- 做沉积（ALD/MOCVD）：优先看有机金属（如 TMA、TEAl、TMGa/TEGa、TEIn）。
- 做校准/定量：选标准溶液/热分析标准（不作为材料主原料）。
表1｜Pb（铅）体系（含有机铅试剂）
分类 | Cas编号 | 阿拉丁货号 | 名称 | 规格或纯度 | 产品应用或特色（与后过渡金属相关） |
Pb（铅）｜金属单质（箔材） | 7439-92-1 | 铅箔 | 用于分析的箔材约0.25 mm厚 | 典型 铅金属箔材：用于分析对照、屏蔽/电极/材料对比等；后过渡金属 Pb 的“形态材料”供货形式。 | |
Pb（铅）｜金属单质（粉末） | 7439-92-1 | 铅粉 | ≥99.95% metals basis | Pb 金属源（粉末形态）：用于合金/材料制备、粉末冶金与实验室配方对比（粒径与表面氧化层会影响反应/烧结行为）；也可用于屏蔽/复合材料等方向的研究型配方（注意铅毒性与合规）。 | |
Pb（铅）｜氧化物 | 1317-36-8 | 黄色氧化铅 | 正交晶系, 99.97% metals basis | 典型 Pb(II) 氧化物金属源；可作玻璃/陶瓷釉、铅盐/铅氧化物体系前驱体，也与铅基功能材料制备相关（注意铅毒性与环保限制）。 | |
Pb（铅）｜混合价氧化物（红丹） | 1314-41-6 | 四氧化三铅 | AR, ≥95% | Pb₃O₄（红丹）：铅氧化物体系与材料前驱体；也常作为铅化学/颜料/防护体系的参考物（注意毒性）。 | |
Pb（铅）｜氧化物（PbO₂） | 1309-60-0 | 二氧化铅 | ≥99.9% metals basis | Pb(IV) 氧化物：强氧化性/电极材料相关（如铅酸体系、电化学对照）；注意铅毒性与氧化性。 | |
Pb（铅）｜羧酸盐（乙酸盐） | 6080-56-4 | 乙酸铅(II) ,三水 | 优级试剂, ≥99.5% | 常见 Pb(II) 可溶金属源：制备其他铅盐/铅氧化物、材料合成前驱体；有一定络合/沉淀化学用途（注意毒性）。 | |
Pb（铅）｜碳酸盐 | 598-63-0 | 碳酸铅(II) | 适用于分析, ACS, 优级品 | 典型 Pb(II) 难溶盐/铅源：用于铅盐转化、陶瓷/无机颜料与材料前驱体研究（注意毒性与法规）。 | |
Pb（铅）｜碱式盐（碱式碳酸盐） | 1319-46-6 | 碱式碳酸铅 | AR, ≥99% | 常见 铅白/碱式碳酸铅：颜料/无机材料前驱体与铅盐转化体系；铅毒性与法规限制显著。 | |
Pb（铅）｜硝酸盐（强氧化性） | 10099-74-8 | 硝酸铅(II)(易制爆) | 欧洲药典（Ph.Eur）, 适用于分析, ACS, 优级品 | 典型 Pb(II) 可溶盐/氧化性硝酸盐：用于制备 PbO/PbX₂ 等铅化合物与材料前驱体（注意氧化性与安全合规）。 | |
Pb（铅）｜硫酸盐 | 7446-14-2 | 硫酸铅 | PrimorTrace™, ≥99.999% metals basis | 高纯 PbSO₄：难溶铅盐/参考物质；用于铅盐转化、材料对照与沉淀化学研究（注意铅毒性）。 | |
Pb（铅）｜卤化物（氯化物） | 7758-95-4 | 氯化铅 | PrimorTrace™, 超干级, ≥99.99% metals basis | 高纯 PbCl₂ 金属源：用于铅卤化物材料/卤化铅钙钛矿相关研究与铅盐转化；需注意铅毒性与合规。 | |
Pb（铅）｜卤化物（溴化物） | 10031-22-8 | 溴化铅 | PrimorTrace™, ≥99.999% metals basis | 高纯 PbBr₂ 前驱体：卤化铅钙钛矿/光电材料与铅盐路线常用；对器件与光学性能，杂质/含水量很关键。 | |
Pb（铅）｜卤化物（高纯碘化物） | 10101-63-0 | 碘化铅 | PrimorTrace™, 超干级, ≥99.999% metals basis | 高纯 PbI₂ 前驱体：与卤化铅光电/半导体材料（如钙钛矿前驱体路线）高度相关；超干与痕量控制对器件一致性关键。 | |
Pb（铅）｜有机铅试剂（强氧化剂） | 546-67-8 | 四乙酸铅 | AR, 含4-10%冰醋酸稳定剂 | 经典 有机合成氧化剂/裂解剂（Pb(IV) 试剂）；冰醋酸作稳定剂；需严格注意毒性与废液处置。 |
表2｜Sn（锡）体系（含有机锡催化剂）
分类 | Cas编号 | 阿拉丁货号 | 名称 | 规格或纯度 | 产品应用或特色（与后过渡金属相关） |
Sn（锡）｜金属单质（粉末） | 7440-31-5 | 锡粉 | 用于元素分析 | Sn 金属源/还原性金属粉：用于元素分析、合金/材料制备与还原反应等；粒度与表面氧化层影响活性。 | |
Sn（锡）｜氧化物 | 18282-10-5 | 氧化锡(IV) | 基础级试剂, 用于制备 | 典型 SnO₂ 前驱体/功能氧化物：气敏材料、催化与透明导电相关体系常见；也用于配方填料与复合氧化物制备。 | |
Sn（锡）｜氧化物（Sn(II)） | 21651-19-4 | 氧化锡(II) | PrimorTrace™, ≥99.99% metals basis | SnO（亚锡氧化物）：用于锡氧化物材料、还原性/价态调控合成；高纯有利于相纯与电学一致性。 | |
Sn（锡）｜硫酸盐（Sn(II)） | 7488-55-3 | 硫酸亚锡 | AR | SnSO₄（亚锡盐）：常作 Sn(II) 金属源/还原性盐；用于锡盐转化与材料前驱体制备。 | |
Sn（锡）｜卤化物（四氯化锡） | 10026-06-9 | 结晶四氯化锡 | 优级试剂, ≥99% | 典型 Sn(IV) 前驱体；用于 SnO₂/锡基材料制备、也可作 Lewis 酸/催化相关前驱体（对水敏感，需控湿）。 | |
Sn（锡）｜卤化物（四氯化锡，Sn(IV)） | 7646-78-8 | 四氯化锡 | PrimorTrace™, ≥99.995% metals basis | 高纯 SnCl₄：SnO₂/锡基材料与催化前驱体常用；对水敏感，超干高纯有利于可控合成。 | |
Sn（锡）｜卤化物（亚锡盐） | 7772-99-8 | 氯化锡（II） | 无水级, 适用于合成 | 典型 Sn(II) 还原性金属盐：有机合成/材料合成常用还原剂与锡源；无水级更利于水敏体系。 | |
Sn（锡）｜卤化物（水合亚锡盐） | 10025-69-1 | 二水氯化锡(II) | 试剂等级,98% | 常见 Sn(II) 可溶锡源：还原性与配位化学用途广；二水物更易溶解配制（对氧/水敏需控条件）。 | |
Sn（锡）｜卤化物（溴化物，Sn(II)） | 10031-24-0 | 溴化锡(II) | ≥99% | SnBr₂：Sn(II) 卤化物金属源/还原性盐；用于锡基卤化物与配位/合成体系。 | |
Sn（锡）｜卤化物（氟化物，Sn(II)） | 7783-47-3 | 氟化锡(II) | ≥99% | SnF₂（亚锡氟化物）：Sn(II) 氟盐金属源；与氟化学/材料前驱体及特定配方体系相关。 | |
Sn（锡）｜卤化物（碘化物，Sn(II)） | 10294-70-9 | 二碘化锡 | PrimorTrace™, 超干级, ≥99.99% metals basis | 高纯 SnI₂ 前驱体：用于锡碘化物/锡基卤化物半导体与材料合成；超干级适合水敏路线与痕量控制。 | |
Sn（锡）｜卤化物（四碘化锡） | 7790-47-8 | 碘化锡(IV) | 无水级, PrimorTrace™, ≥99.998% metals basis | 高纯 Sn(IV) 卤化物前驱体：用于高纯锡基化合物/半导体与材料合成；痕量控制适合电子/光电方向。 | |
Sn（有机锡）｜催化剂（DBTDL） | 77-58-7 | 二月桂酸二丁基锡（DBTDL） | ≥95% | 经典 有机锡催化剂：聚氨酯/硅橡胶缩合固化等体系促进剂；对法规与毒理较敏感，应用需注意替代趋势。 | |
Sn（有机锡）｜催化剂（亚锡异辛酸盐/辛酸亚锡） | 301-10-0 | 异辛酸亚锡 | ≥95% | 常用 Sn(II) 有机羧酸盐催化剂：聚酯缩聚、聚氨酯/硅体系等；“Sn(II) 可溶催化剂形态”便于加入与分散。 |
表3｜Bi（铋）体系
分类 | Cas编号 | 阿拉丁货号 | 名称 | 规格或纯度 | 产品应用或特色（与后过渡金属相关） |
Bi（铋）｜金属单质（颗粒） | 7440-69-9 | 铋粒 | PrimorTrace™, ≥99.999% metals basis, 1-6mm | 超高纯 Bi 金属源：合金/靶材/熔炼与材料制备前驱体；颗粒形态便于称量与熔融处理。 | |
Bi（铋）｜氧化物（纳米） | 1304-76-3 | 氧化铋 (III) | 纳米粉末, ≥99.8% trace metals basis, 100-500 nm 粒径 | 常见 Bi₂O₃ 功能氧化物：用于陶瓷/玻璃改性、光催化/离子导体相关研究；痕量控制利于电子/光学性能一致性。 | |
Bi（铋）｜卤化物（氯化物） | 7787-60-2 | 氯化铋 | 试剂级 | 常用 Bi(III) 金属源：用于铋盐/铋氧化物制备、Lewis 酸/催化体系探索与材料合成。 | |
Bi（铋）｜硝酸盐 | 1304-85-4 | 硝酸铋(III) | 欧洲药典（Ph.Eur）, 优级试剂, 适用于分析, 碱性 | Bi(III) 可溶盐前驱体：制备 Bi₂O₃/碱式铋盐、催化与材料方向常用；“碱性”形态与水解/配位特性相关。 | |
Bi（铋）｜硝酸盐（五水合） | 10035-06-0 | 硝酸铋(III) 五水合物 | PrimorTrace™, ≥99.99% metals basis | 常用 Bi(III) 可溶盐前驱体：制备 Bi₂O₃、碱式硝酸铋等；在光催化/功能陶瓷前驱体路线中常见。 | |
Bi（铋）｜羧酸盐（乙酸盐） | 22306-37-2 | 乙酸铋(III) | PrimorTrace™, ≥99.99% metals basis | 常用 Bi(III) 可转化金属源：制备氧化铋/碱式铋盐与材料前驱体；有机酸盐利于溶剂体系操作。 | |
Bi（铋）｜碱式卤化物（氯氧化物） | 7787-59-9 | 氯氧化铋 | ≥99% | BiOCl：常见层状铋氧卤化物；用于光催化、颜料/珠光效应与材料前驱体研究。 | |
Bi（铋）｜有机酸盐（次水杨酸盐） | 14882-18-9 | 次水杨酸铋 | ≥97% | Bi 有机酸盐/碱式铋盐体系：医药与铋源研究常见；也可作铋化合物转化前驱体。 |
表4｜In / Ga / Tl / Al 体系 + ITO + 标准品
分类 | Cas编号 | 阿拉丁货号 | 名称 | 规格或纯度 | 产品应用或特色（与后过渡金属相关） |
In（铟）｜标准物质（热分析） | 7440-74-6 | 热分析标准物质（铟） | 熔化温度：156.52°C | DSC/DTA 温度/焓校准常用金属标准；后过渡金属 In 以“高纯定点”用于仪器计量。 | |
In（铟）｜卤化物（水合盐） | 10025-82-8 | 三氯化铟 水合物 | 约39%铟基，2-3 mol/mol水 | 常用 In(III) 金属源：配位/有机合成 Lewis 酸、制备铟氧化物/铟硫化物等前驱体；水合态利于溶解配制。 | |
In（铟）｜卤化物（高纯三溴化物） | 13465-09-3 | 三溴化铟 | 超干级, ≥99.95% metals basis | 高纯 In(III) 金属源：用于高纯铟基无机/有机金属路线与电子材料前驱体；超干级利于水敏合成。 | |
In（铟）｜硝酸盐（水合） | 207398-97-8 | 硝酸铟水合物 | PrimorTrace™, ≥99.999% metals basis | 高纯 In(III) 可溶金属源：用于制备铟氧化物/铟盐、溶胶-凝胶与浸渍前驱体；水合态利于配液。 | |
In（铟）｜氧化物（纳米 In₂O₃） | 1312-43-2 | 纳米氧化铟 | PrimorTrace™, ≥99.99% metals basis, ＜50 nm(TEM) | In₂O₃ 纳米粉：透明导电/气敏/催化等方向常用；粒径影响分散、烧结与导电网络。 | |
In（铟）｜β-二酮配合物（acac） | 14405-45-9 | 乙酰丙酮铟(III) | PrimorTrace™, ≥99.99% metals basis | 典型 In(acac)₃ 前驱体：溶胶-凝胶、喷雾热解、薄膜涂覆/沉积等常用有机配位铟源。 | |
In（铟）｜有机金属（MOCVD 前驱体） | 923-34-2 | 三乙基铟 | ≥99.999% metals basis | 典型 MOCVD/外延沉积 In 源（如 InP/InAs/InGaAs 等体系）；高纯对外延缺陷与电学性能敏感。 | |
In–Sn（铟锡）｜功能氧化物（ITO） | 50926-11-9 | 氧化铟锡 | 纳米粉末＜50纳米粒径 | 典型 透明导电氧化物（TCO）：用于透明电极、显示/光伏/传感导电涂层；粒径影响分散、烧结与导电通路。 | |
Ga（镓）｜分析标准溶液 | 7440-55-3 | 镓标准溶液 | 分析标准品, 1000ug/ml in 1mol/L HCl | 痕量镓分析校准；用于半导体/材料样品中 Ga 含量定量与方法建立。 | |
Ga（镓）｜卤化物（无水氯化物） | 13450-90-3 | 无水氯化镓 | PrimorTrace™, ≥99.999% metals basis | 高纯 GaCl₃（Lewis 酸/镓源）：用于配位/有机合成与镓化合物制备；无水高纯适合痕量与水敏反应。 | |
Ga（镓）｜卤化物（高纯溴化物） | 13450-88-9 | 溴化镓(III) | 超干级, ≥99.999% metals basis | 高纯 Ga(III) 金属源：用于 Ga 基化合物/半导体前驱体路线；超干级适合水敏/高纯合成。 | |
Ga（镓）｜卤化物（碘化物） | 13450-91-4 | 碘化镓 | PrimorTrace™, 超干级, ≥99.99% metals basis | 高纯 GaI₃ 前驱体：用于镓卤化物/电子材料化学与无机合成；超干级利于水敏体系。 | |
Ga（镓）｜硝酸盐（水合） | 69365-72-6 | 硝酸镓(III) 水合物 | PrimorTrace™, ≥99.999% metals basis | 高纯 Ga(III) 可溶盐：制备 Ga₂O₃/镓盐与材料前驱体；水溶体系常用镓源之一。 | |
Ga（镓）｜硫酸盐（水合） | 13780-42-2 | 硫酸镓水合物 | PrimorTrace™, ≥99.999% metals basis | 高纯 Ga(III) 盐：镓源/配液前驱体；适合需要硫酸根体系或特定离子强度的合成与分析对照。 | |
Ga（镓）｜硫酸盐（无水/标注(III)） | 13494-91-2 | 硫酸镓(III) | PrimorTrace™, ≥99.99% metals basis | Ga(III) 硫酸盐：镓源/配液与无机合成常用；适合需要硫酸根体系或控制配位环境的路线。 | |
Ga（镓）｜氧化物（Ga₂O₃） | 12024-21-4 | 氧化镓 | PrimorTrace™, ≥99.999% metals basis | 超高纯 Ga₂O₃ 功能氧化物：宽禁带半导体/透明电子等方向常见；高纯度有利于电学与光学一致性。 | |
Ga（镓）｜β-二酮配合物（acac） | 14405-43-7 | 乙酰丙酮镓（III） | PrimorTrace™, ≥99.99% metals basis | 典型 Ga(acac)₃ 前驱体：用于氧化镓/镓基薄膜与粉体路线（溶液法、涂覆、热分解等）。 | |
Ga（镓）｜有机金属（MOCVD 前驱体） | 1115-99-7 | 三乙基镓 | 包装用于沉积系统 | 典型 MOCVD/外延沉积 Ga 源（如 GaAs/GaN 等体系相关研究）；挥发性/反应性强，包装形态面向沉积系统。 | |
Ga（镓）｜有机金属（MOCVD 前驱体） | 1445-79-0 | 三甲基镓 | 包装用于沉积系统 | 典型 MOCVD Ga 源：用于 GaN/GaAs 等半导体薄膜/外延；对氧/水敏感，系统级供料。 | |
Tl（铊）｜卤化物（高纯溴化物） | 7789-40-4 | 溴化铊(I) | 超干级, ≥99.998% metals basis | Tl(I) 卤化物晶体/盐前驱体：与红外光学、辐射探测等 Tl 卤化物材料研究相关（铊高毒，需严格合规）。 | |
Tl（铊）｜卤化物（碘化物） | 7790-30-9 | 碘化铊 | PrimorTrace™, 超干级, ≥99.99% metals basis | 高纯 TlI：与红外光学/辐射探测等 Tl 卤化物晶体材料研究相关；铊高毒，需严格安全与法规。 | |
Al（铝）｜氧化物载体（多孔氧化铝） | 1344-28-1 | 活性氧化铝球 | 用作催化剂载体 | 典型 催化剂载体/吸附剂：用于金属负载、干燥脱水、净化吸附；孔结构与比表面积决定负载与传质。 | |
Al（铝）｜氢氧化物 | 21645-51-2 | 氢氧化铝 | 用于制备氧化铝 | Al₂O₃ 前驱体：煅烧得氧化铝；也常见于无机填料/阻燃体系与铝盐路线制备。 | |
Al（铝）｜氯化物（水合盐） | 7784-13-6 | 六水氯化铝 | 高级纯, 试剂级, ≥99% | 常用 Al(III) 盐：配制铝盐溶液、无机合成/水解沉淀体系；水合氯化物对酸度与络合敏感。 | |
Al（铝）｜硫酸盐 | 10043-01-3 | 硫酸铝 | 无水级, ≥99.95% metals basis | 常见 Al(III) 盐：水处理絮凝、造纸/无机合成与氧化铝路线前驱体；高纯适合材料/分析用途。 | |
Al（铝）｜氟化物 | 7784-18-1 | 氟化铝 | 无水级, ≥99.9% metals basis | 典型 Al–F 无机盐：可作氟化学/无机合成前驱体；也与电解铝助熔/催化载体改性等体系相关。 | |
Al（铝）｜硝酸盐（水合盐） | 7784-27-2 | 九水硝酸铝 | 适用于分析, 优级品 | 常用 Al(III) 可溶盐：无机合成/溶胶凝胶前驱体、分析试剂；水合态便于配制溶液与浸渍。 | |
Al（铝）｜卤化物（高纯碘化物） | 7784-23-8 | 碘化铝 | PrimorTrace™, 无水级, ≥99.999% metals basis, powder | 高纯 Al(III) 卤化物/Lewis 酸型前驱体：用于高纯无机合成与卤化铝化学；无水高纯利于痕量控制。 | |
Al（铝）｜卤化物溶液（Lewis 酸） | 7727-15-3 | 溴化铝 溶液 | 无水级, 1.0 M in dibromomethane | 典型 强 Lewis 酸：Friedel–Crafts、卤化/重排等反应促进；溶液形态便于计量与无水体系使用。 | |
Al（铝）｜醇盐（烷氧基化物） | 555-31-7 | 三异丙醇铝 | 适用于合成 | 典型 金属醇盐前驱体：溶胶-凝胶制备氧化铝/复合氧化物薄膜与粉体；亦可作有机合成催化/转化体系的 Al 源。 | |
Al（铝）｜碱式盐（碱式乙酸盐） | 142-03-0 | 碱式乙酸铝 | AR | Al(III) 盐/络合体系：用于配制铝盐溶液、沉淀/胶体体系与材料前驱体；碱式盐对 pH/水解敏感。 | |
Al（铝）｜聚合盐（PAC） | 1327-41-9 | 聚合氯化铝 | Al2O3≥28% | 典型 水处理絮凝剂/聚合铝盐：以多核羟基铝络合物为主；工程应用广，强调有效 Al₂O₃ 含量。 | |
Al（铝）｜分析标准溶液 | 7429-90-5 | 铝标准溶液 | 分析标准品, 100μg/ml in 5%HCl | ICP/AAS/IC 校准用；酸性基体（5%HCl）用于稳定金属离子，便于痕量分析溯源。 | |
Al（铝）｜有机金属（ALD/MOCVD 前驱体） | 75-24-1 | 三甲基铝(TMA) | 包装用于沉积系统 | 经典 ALD Al₂O₃ 薄膜前驱体；亦常作聚合体系助催化/捕杂剂（强自燃/强反应性，需专用气路）。 | |
Al（铝）｜有机金属（TEAl 溶液） | 97-93-8 | 三乙基铝 溶液 | 25 wt. % in toluene | 典型 Ziegler–Natta/茂金属催化共催化剂 & 捕杂剂；强自燃/强反应性，溶液形态便于计量（需专用惰性操作）。 |
注：以上为阿拉丁代表货号，更多产品请关注文末产品表或用CAS/品名在官网搜索。
危险品化学品经营许可证（带存储）