热电材料选型导览：评估框架、温区—体系地图与模块化关键门槛（含产品导航表1–表4）
热电材料选型导览：评估框架、温区—体系地图与模块化关键门槛（含产品导航表1–表4）
一，为什么热电材料值得关注？
我们身边到处都是正在流失的“温差”：发动机与工业设备外壁、数据中心与电力电子散热器、甚至笔记本电脑的散热路径——热量在不断被排走，而温差本身其实是一种可利用的驱动力。热电材料提供了一条很独特的能量转换路径：它是固态器件，不需要运动部件，也不依赖制冷剂或工质循环，就能把温差直接转成电能（用于发电/能量回收），或把电能直接用来搬运热量（用于制冷与精密温控）。
但热电并不追求“取代所有热机/压缩机制冷”。更现实的定位是：它在小尺度、分布式、维护不便、需要安静可靠或精准温控的场景里更有价值，既可能与传统流体系统竞争，也常用于更小规模应用。Bell 在 Science 的综述中就明确指出了这类定位，并给出典型应用例子，如汽车座椅、夜视系统以及电气机柜散热等。
热电效应可以用两句话理解：
1. Seebeck（温差→电压）：当材料两端温度不同，就会出现电势差；把这种效应做成器件，就能利用温差输出电能。
2. Peltier（通电→搬运热）：当电流通过合适的热电器件结构，器件一侧吸热、另一侧放热，从而实现固态制冷/加热与温控。但同时存在焦耳热与器件自身热传导，因此净制冷量/COP 取决于电流、内阻、热导和温差。
先进热电材料 = 在目标工作温区内，综合性能足够高且可重复；同时能跨过器件化门槛（接触/界面/稳定性），把材料优势变成模块优势。
注：为什么要强调“目标温区”？因为热电性能随温度变，器件还要跨冷热端工作；工程更关心“温区内整体水平”，而不是某个温度点的峰值。
二，热电材料“强不强”的四问框架
四个关键问题 | 在衡量什么 | 对后续选型意味着什么 |
① 在给定温差下，能产生多强的热电电压响应？ | 温差驱动电势差的能力（决定“电压起得来起不来”） | 响应弱时，为达到目标电压往往需要更大温差、更多对偶单元串联，或改选更匹配温区的材料体系。 |
② 在输出电流时，电阻损耗是否足够低？ | 电输运能力与内阻大小（决定“功率出得来出不来”） | 内阻偏大时，输出功率与能效会被欧姆损耗显著拉低，同时更易发热；需要关注材料本体与器件电接触两端。 |
③ 在建立温差时，热泄漏是否足够小、温差是否站得住？ | 传热快慢（决定“温差保得住保不住”） | 热泄漏大时，维持同样温差需要更大的热流输入，器件可达效率/COP 上限被压低；需在目标温区比较，并关注结构/微结构对热传输的影响。 |
④ 在目标工作温区内，综合表现是否持续优秀且可重复？ | 综合得分（业内常用 zT 表征），且它随温度变化 | 选型应优先看“目标温区内的整体水平（平均/积分意义）与可重复性”，而不是某个温度点的峰值；为后续材料分类表与产品表提供统一判据。 |
补充：zT 定义：
其中 为 Seebeck 系数，
为电导率(
),
为总热导率，�� 为绝对温度。
S, ρ, κ 往往随温度变化明显，因此更建议比较目标温区内的平均/积分意义表现（以及可重复性），而不是只盯某个温度点的峰值 zT。
提示：
a) 要绑定温区: 热电性能会随温度变化；同一种材料在室温附近表现很好，不代表在中高温也同样优秀。判断材料“强不强”，需以实际工作温区为前提。
b) 材料表现不等于模块表现：即便材料综合得分很高，真正做成器件后仍可能因为电/热接触不良、界面反应与元素扩散、热循环疲劳、封装与散热路径设计等因素而明显掉线。
c) 对比时要看测量口径是否一致：横向比较不同文献或不同样品时，尽量关注测试条件（温差建立方式、样品形态/各向异性、测量方法与重复性）。否则“看起来更高/更低”的差异，可能来自测法与不确定度，而不是真实材料差距。
三，温区—材料体系地图
目标温区（典型） | 常见代表材料体系 | 典型的用途定位 | 选型时关键的判定点 |
近室温/低温差：约 250–500 K。 | Bi₂Te₃ 基合金（n/p 对：Bi₂Te₃–Bi₂(Te,Se)₃ / Sb₂Te₃ 等）。 | 固态制冷/精密温控；低品位温差的能量回收（小功率）。 | 先看：目标温区内整体表现（别只盯峰值）；再看 n/p 配对是否成熟、以及电/热接触与界面层是否有可靠方案（这些往往决定模块“掉不掉线”）。 |
低–中温：（约 300–700/723 K）。 | Mg₃(Sb,Bi)₂ 基（Zintl）。 | 近室温到中温段的制冷/温控与低品位废热发电，被认为是替代/补充传统低温体系的重要候选。 | 先看：是否覆盖你的温区且“平均表现”够强（如 300–700 K 的平均水平）；再看 连接/钎焊温度窗口与材料热稳定性（连接温度不匹配会带来服役风险）。 |
中温：约 400–900 K。 | 中温硫属化物代表：PbTe（经典中温参考），以及 SnSe、GeTe 等（常见研究主线）。 | 中温废热发电（热端明显高于室温的场景）。 | 先看：材料与环境/合规约束是否匹配（如含 Pb 体系在某些应用受限）；再看 高温下的化学/热稳定与封装策略（中温段开始更容易被氧化/界面反应拖累）。 |
中温发电：约 600–900 K。 | Skutterudite（CoSb₃ 基，填充型等）。 | 中温段较成熟的发电模块路线之一（文献与器件链路较完整）。 | 先看：是否有“材料→模块”的完整证据链（扩散阻挡层、接触层、互连电极等如何做）；中温段界面工程往往决定可靠性。 |
中高温：约 700–1000 K（≈ 427–727 °C）（部分体系可延伸更高）。 | Half-Heusler（半霍斯勒，常见家族：(Ti,Zr,Hf)NiSn（n 型）/ (Ti,Zr,Hf)CoSb（p 型））。 | 中高温废热发电：强调功率密度、机械与热稳定、规模化潜力。 | 先看：峰值温度点在哪里（是不是你的热端附近）；再看 高温界面反应/扩散阻挡层与热循环可靠性（中高温“先进”更偏工程兑现）。 |
高温：约 900–1300 K。 | SiGe 合金（高温经典体系）。 | 高温发电与航天/极端环境（RTG 等历史应用链路）。 | 先看：高温长期稳定与连接/封装体系；再看 成本与加工窗口（SiGe 体系高温优势明确，但材料与工艺代价也更突出）。 |
四，为什么“材料很强”但热电模块仍可能表现不佳？
1. 接触损耗（电/热接触问题）：电接触电阻与热接触热阻偏大时，输入的温差或电能会被接口损耗“吃掉”，直接拉低输出功率（发电）或制冷量（制冷）。
2. 界面反应与元素互扩散：在中高温服役时更突出，界面处可能发生反应或元素迁移，导致性能随时间退化；通常需要合适的扩散阻挡层（diffusion barrier layer）与连接工艺来抑制。
3. 热循环可靠性不足（thermal cycling reliability）：反复冷热循环会引发脱粘、裂纹或微结构演变，造成性能漂移，影响长期稳定运行。
4. 热管理与封装不到位（thermal management & packaging）：散热路径与封装结构决定温差能否“建立并维持”；一旦出现明显的寄生热泄漏（parasitic heat leakage），发电效率会下降，制冷的COP（Coefficient of Performance，性能系数）也会明显变差。
五，产品导航表｜热电材料相关化学品：按“科研任务/实验需求”快速定位表1–表4
科研任务/实验需求 | 建议优先看哪张表 | 为什么先看它 | 在表里通常要找什么（代表产品举例） |
准备做热电材料合成，但担心配方/掺杂不准，想先把“元素含量与杂质”定准（ICP/AAS、离子分析、掺杂量核对、污染排查） | 表1｜标准品与分析标样 | 合成前/合成后要能“量化你到底做出来什么”，元素定量与校准是最低成本的质量闭环；先把仪器校准与标准曲线做好，后续掺杂—性能关系才可信 | Ni 标样、K 标准溶液、Hf 标准溶液（用于掺杂/固溶体含量与杂质监控） |
要跑热分析（DSC/DTA：相变、熔融、反应放热、烧结窗口、相图/热稳定比较） | 表1｜标准品与分析标样 | 热电体系常包含低熔点硫族化物/多相共晶；温度轴不准会直接误判相变与工艺窗口。先用熔点标准做温标校准，再上材料样品 | Pb、Sn 热分析标准物质（熔点标定） |
合成路线还没确定：想先搭一个“通用原料包”（硫族化物/锑化物/硅化物/半霍斯勒等通用体系都能覆盖） | 表2｜元素单质与金属前驱体 + 表4｜热电化合物母相 | 表2提供“从零开始配料”的元素源/金属源（尤其高纯）；表4提供“直接上母相粉体/块体”的捷径（更快做出可测样品/对照） | Te、Se、Bi、Sb、Si、Ge、Co、Ti、Zr、Mg 等；以及 Bi₂Te₃、PbTe、SnSe、CoSb₃、ZnSb、Mg₂Si 等母相 |
做近室温热电（常见基准体系）：需要一个“能快速对标文献”的起点 | 表4｜热电化合物母相 | Bi₂Te₃/Sb₂Te₃/Bi₂Se₃、Ag₂Se 等是最常见的近室温/低温对照体系；直接用母相能最快获得可比数据，再决定是否回到表2做高纯配料与掺杂 | Bi₂Te₃、Sb₂Te₃、Bi₂Se₃、Ag₂Se、Ag₂Te 等 |
做中温热电（典型 PbTe / PbSe / SnTe / GeTe）：想系统做掺杂、固溶体、纳米结构降热导 | 表4｜热电化合物母相（优先） → 表2｜元素前驱体（进阶） | 先用母相跑通制样与测量链路（电输运/热导/稳定性），再用高纯元素回到“可控掺杂/固溶体”路线，把机制变量收敛 | PbTe、PbSe、SnTe、GeTe；对应的高纯 Te/Se/Ge/Bi/Sb 等 |
做超离子导体/低晶格热导路线（Cu₂Se/Cu₂S 等）：关注循环稳定、离子迁移、相稳定 | 表4｜热电化合物母相 | Cu₂Se/Cu₂S 是典型“性能高但稳定性与相行为敏感”的体系；先拿到稳定可重复的母相样品更关键，再谈掺杂/复合 | Cu₂Se、Cu₂S（硒化亚铜/硫化亚铜） |
做 skutterudite（CoSb₃）或 Zn–Sb 锑化物体系：关注中高温性能、填充/缺陷/复合调控 | 表4｜热电化合物母相（优先） + 表2｜元素前驱体（需要自配方时） | 这两类体系配比与相区敏感；母相更适合先做对照基线与烧结工艺窗口；需要做填充/合金化或相区探索时再用元素源精细配方 | CoSb₃、ZnSb、Zn–Sb（锑化锌/单锑化锌）；元素源 Co、Sb 等 |
做硅化物热电（Mg₂Si、FeSi₂）：看重高温稳定、耐氧化或低毒方向 | 表4｜热电化合物母相（优先） → 表2｜元素前驱体（自配/掺杂） | 硅化物通常更偏高温稳定路线；母相便于快速建立可测样品与对照，后续掺杂/固溶体需要回到 Mg/Si 等元素源 | Mg₂Si、FeSi₂；以及 Si、Mg 粉等 |
做氧化物热电薄膜/界面工程（外延、异质结构、薄膜输运/各向异性） | 表3｜氧化物与单晶基底 | 薄膜/界面路线的“第一性变量”往往是基底与取向；先把生长平台（基底）确定，再决定材料/掺杂与后续测量 | SrTiO₃ 单晶衬底 <100>；ZnO（氧化物候选/对照） |
准备走 CVT（化学气相输运）做单晶/高质量晶体（用于本征输运、各向异性、缺陷研究） | 表2｜元素单质与金属前驱体 | CVT 常需要卤素传输剂与高纯前驱体；先把“传输剂 + 高纯源”备齐，晶体质量与可重复性更稳 | 碘（CVT 传输剂）；高纯 Te/Se/Bi/Sb/Ge 等 |
是做“从粉体到块体”的工艺窗口探索（球磨/机械合金化、热压/SPS、复合填料、纳米化） | 表2｜元素单质与金属前驱体（粉末/纳米粉优先） + 表4｜母相粉体 | 粉末形态直接决定混料、反应动力学与致密化；母相粉体可作基准，元素粉末可做配方与掺杂变量 | Co 纳米粉、Ti 粉、Zr 粉、Sb 粉、Si 纳米粉、Mg 粉；Bi₂Te₃ 粉等 |
需要“安全/合规优先”，想避免活泼/敏感品，先做稳妥路线对照 | 表4｜热电化合物母相（优先） + 表1｜分析标样 | 直接采购母相减少活泼金属参与与反应风险，同时用分析标样把质量闭环补齐；等流程稳定再考虑表2中更敏感的金属源 | 优先选母相（Bi₂Te₃、PbTe、SnSe 等）与分析标样；将 Na/Mg 等活泼金属作为后续进阶 |
使用建议：
1. “先跑通”：通常从 表4（母相） 入手更快得到可测样品与基准；
2. “做机制与掺杂规律”：再回到 表2（高纯元素/粉末） 精细配方；
3. “做数据可信闭环”：把 表1（校准/标样） 当作全程配套；
4. “做薄膜/外延”：优先 表3（基底与氧化物平台）。
表1｜标准品与分析标样（热分析校准 / 元素定量质控）
分类 | Cas编号 | 阿拉丁货号 | 名称 | 规格或纯度 | 产品特色和应用（热电材料相关） |
标准品｜热分析(DSC/DTA)校准 | 7439-92-1 | 热分析标准物质（铅） | 熔化温度：327.77°C | 用于 DSC/DTA 温度标定（熔点附近校准），提升热电材料相变/熔融/烧结窗口的热分析数据准确性（相图判读、工艺窗口对比）。 | |
标准品｜热分析(DSC/DTA)校准 | 7440-31-5 | 热分析标准物质（锡） | 熔化温度：231.81°C | 用于 DSC/DTA 低温段标定，帮助校准热电材料低温相变、低熔点组分（Bi/Te 基等）的热行为测量。 | |
标准溶液/标样｜ICP/元素分析（Ni） | 7440-02-0 | 水质镍标样 | 浓度:1.39(mg/L)，基体：水 | 用于 ICP/AAS 质控与校准，监控 Ni 含量/污染（Ni 常见于半霍斯勒、Ni 基合金热电体系的成分控制与杂质管理）。 | |
标准溶液｜ICP/元素分析（K） | 7440-09-7 | 钾标准溶液 | 500mg/L in water | 用于 ICP/离子分析校准：监控碱金属（K）掺杂/杂质（碱金属会显著改变载流子浓度与缺陷化学），提升热电配方的可重复性。 | |
标准溶液｜ICP/元素分析（Hf） | 7440-58-6 | 铪标准溶液 | 1000μg/ml in 1.0 mol/L HNO3,trace HF | 用于 Hf 含量定量（Hf 常用于 (Hf,Zr)NiSn 等半霍斯勒热电固溶体调控质量与声子散射）；支持掺杂/固溶比例的质控验证。 |
表2｜元素单质与金属前驱体（高纯金属/半导体元素/活泼金属）
分类 | Cas编号 | 阿拉丁货号 | 名称 | 规格或纯度 | 产品特色和应用（热电材料相关） |
元素单质｜硫族元素（Se） | 7782-49-2 | 硒黑 99+ | 适用于分析, 优级品 | 硒化物热电（如 SnSe、Bi₂Se₃、PbSe、Cu₂Se 等）关键前驱体；用于化学计量比补偿、掺杂对照与薄膜/粉体体系的 Se 源，便于做可重复的组分窗口研究。 | |
元素单质｜高纯硫族元素（Te） | 13494-80-9 | 碲 | PrimorTrace™, ≥99.999% metals basis, pieces | 制备 Bi₂Te₃、PbTe、Sb₂Te₃、GeTe、SnTe 等 telluride 热电材料的核心 Te 源；高纯可降低背景掺杂与缺陷引入，提升重复性与可比性。 | |
辅助试剂｜CVT传输/卤素化学 | 7553-56-2 | 碘 | 化学纯（CP）, ≥99.5% | 常见于 化学气相输运（CVT）晶体生长作为卤素传输剂；也可用于卤素相关的化学调控/对照（有腐蚀性与挥发性，适合通风条件下使用）。 | |
元素单质｜金属前驱体（Co） | 7440-48-4 | 钴 | 碳涂层磁性材料,纳米粉末,＜50 nm 粒径 (TEM),≥99% | 常作为 CoSb₃（skutterudite）、Co 基合金/复合热电材料的 Co 源；纳米粉（且碳涂层减缓氧化）适合机械合金化、复合填料与烧结前配料，用于研究载流子/声子散射调控。 | |
元素单质｜半导体元素（Si） | 7440-21-3 | 硅 | 纳米粉末＜100纳米(BET)＜3%氧钝化 | 用于 Si 基/SiGe 热电与纳米结构研究；也可作为制备 Mg₂Si、FeSi₂ 等硅化物热电材料的反应性 Si 源，纳米尺度利于固相反应与致密化。 | |
元素单质｜高纯半导体元素（Ge） | 7440-56-4 | 锗 | PrimorTrace™, ≥99.999% metals basis, sheet,thickness 2.0 mm,size 10 × 24 mm | 高纯 Ge 作为 GeTe、SiGe 等热电体系前驱体/组分；高纯度利于把载流子浓度与杂质散射分开研究，片材也便于熔融合金化或蒸发源。 | |
元素单质｜高纯金属/准金属（Bi） | 7440-69-9 | 铋粒 | PrimorTrace™, ≥99.999% metals basis, 1-6mm | Bi₂Te₃/Bi–Sb–Te 等近室温热电主体系关键 Bi 源；粒状便于称量合金化，也可用于 Bi 富集相/低熔点助烧结对照研究。 | |
元素单质｜半金属（Sb） | 7440-36-0 | 锑粉 | 化学纯（CP）, ≥99% | Sb₂Te₃、CoSb₃、Zn–Sb 等热电体系的关键前驱体；粉末形态利于固相反应与烧结配料，用于 p 型载流子调控与合金化窗口探索。 | |
活泼金属｜还原/助熔（需合规） | 7440-23-5 | 钠(易制爆) | 块,最大块尺寸200 mm,重量100 g,状态棒 | 在无机材料研究中可作为 强还原/助熔金属，用于部分金属间化合物/硫族化物路线的反应动力学促进与成分调控；需严格合规储运与安全管理（避免受潮/与水反应）。 | |
活泼金属｜合金化/还原（需合规） | 7439-95-4 | 镁粉(易制爆) | AR, ≥99.5% | Mg₂Si/Mg 基硅化物、Mg 含 Zintl/合金热电材料的关键 Mg 源；也可用于还原/去氧相关材料化学对照。粉末活泼，需合规安全管理。 | |
合金前驱体｜半霍斯勒/合金化金属（Zr） | 7440-67-7 | 锆粉(易制爆) | 99.5% metals basis (铪除外),≥200 目 | Zr 基半霍斯勒（如 ZrNiSn）与高温稳定合金热电常用前驱体；粉末形态利于固相合金化与烧结制样。 | |
合金前驱体｜半霍斯勒/合金化金属（Ti） | 7440-32-6 | 钛粉 | PrimorTrace™, ≥99.99% metals basis, powder,≥300目 | Ti 粉常用于 Ti 基半霍斯勒（如 TiNiSn 等方向）/多元合金热电前驱体；细粉利于固相反应、机械合金化与致密烧结制样。 |
表3｜氧化物与单晶基底（氧化物热电 / 薄膜外延平台）
分类 | Cas编号 | 阿拉丁货号 | 名称 | 规格或纯度 | 产品特色和应用（热电材料相关） |
氧化物/钛酸盐｜氧化物热电 | 1314-13-2 | 氧化锌 | 欧洲药典（Ph.Eur）, 适用于分析, ACS, 优级品 | 氧化物热电候选体系：ZnO 可通过缺陷/掺杂（如 Al/Ga 等方向的研究）实现 n 型导电与热电性能调控；也常作为复合体系填料/界面层用于调节热导与界面稳定性。 | |
氧化物/钛酸盐｜基底/氧化物热电 | 12060-59-2 | 钛酸锶 | 单晶衬底＜100＞ | SrTiO₃ 单晶基底常用于外延生长氧化物薄膜/异质结构（含氧化物热电与界面调控研究）；取向明确便于做薄膜输运与各向异性对照。 |
表4｜热电化合物母相（硫族化物 / 锑化物 / 硅化物 / Skutterudite）
分类 | Cas编号 | 阿拉丁货号 | 名称 | 规格或纯度 | 产品特色和应用（热电材料相关） |
硫族化物半导体｜Pb–S（对照/前驱体） | 1314-87-0 | 硫化铅 | 方铅矿(Galena),天然,0.06-0.19inch | Pb–S 半导体矿物样品：可用于 矿物相对照、前驱体比较或量子点/纳米结构研究方向；天然矿物杂质较多，更适合作为对照而非追求极限热电性能的“高纯基体”。 | |
硫族化物热电｜Sn–S | 1314-95-0 | 硫化锡(II) | PrimorTrace™, ≥99.99% metals basis | SnS 层状、相对友好元素体系的热电候选；用于研究低毒硫化物路线、缺陷控制与各向异性输运。 | |
铜/银硫族化物热电｜Cu–S | 22205-45-4 | 硫化亚铜 | 粉末−325目 | Cu₂S 类超离子导体热电体系代表：低晶格热导、适合做高 ZT 方向的基体/复合相；细粉便于热压/SPS 与复合掺混，做声子散射与稳定性对照。 | |
硫族化物热电｜Bi–S | 1345-07-9 | 硫化铋(III) | PrimorTrace™, ≥99.999% metals basis | Bi₂S₃ 低热导硫化物方向常见材料；用于纳米线/复合体系、界面工程与低毒替代路线的热电探索。 | |
硫族化物热电｜Sn–Se | 1315-06-6 | 硒化锡 | PrimorTrace™, ≥99.999% metals basis | SnSe 层状热电代表（中高温方向）；高纯母相适合做缺陷/掺杂（载流子浓度）与各向异性输运机理研究。 | |
硫族化物热电｜Pb–Se | 12069-00-0 | 硒化铅 | PrimorTrace™, ≥99.999% metals basis, lumps,6mm max. lump size,weight 50g | PbSe 中温热电与 PbTe/PbSe 固溶体常用母相；高纯适合做掺杂规律、固溶体相图与热导调控的系统研究。 | |
铜/银硫族化物热电｜Cu–Se | 20405-64-5 | 硒化亚铜 | ≥99.9% metals basis | Cu₂Se 类超离子导体热电体系代表：常见高 ZT 报道方向；用于块体/薄膜/复合材料研究（声子散射、相稳定、离子迁移抑制等对照）。 | |
铜/银硫族化物热电｜Ag–Se | 1302-09-6 | 硒化银(I) | ≥99.9% metals basis | Ag₂Se 近室温（含柔性方向）热电材料常用母相；用于 Ag–Se 基复合、纳米线/薄膜与低温输运对照研究。 | |
铜/银硫族化物热电｜Ag–Te | 12002-99-2 | 碲化银(I) | 粉末，块状 | Ag₂Te 典型低温/近室温热电与窄带隙材料；用于柔性/低温热电与 Ag–Te 基复合体系研究，也可作为掺杂/二相调控组分。 | |
硫族化物热电｜Ge–Te | 12025-39-7 | 碲化锗 | PrimorTrace™, ≥99.999% metals basis | GeTe 经典 p 型中温热电母相；常用于固溶/掺杂调控（能带工程、相变相关输运）与复合降热导研究。 | |
硫族化物热电｜Sn–Te | 12040-02-7 | 碲化锡(II) | PrimorTrace™, ≥99.999% metals basis | SnTe p 型中温热电重要母相；用于能带汇聚、缺陷工程与合金化（如与 PbTe/GeTe 等体系对照）研究。 | |
硫族化物热电｜Pb–Te | 1314-91-6 | 碲化铅 | PrimorTrace™, ≥99.99% metals basis | PbTe 中温段经典高性能热电材料；高纯母相适合系统掺杂（n/p 型）与纳米结构降热导研究，是重要对照基准。 | |
硫族化物热电｜Bi₂Te₃ 基准材料 | 1304-82-1 | 碲化铋(III) | PrimorTrace™, ≥99.99% metals basis, powder | Bi₂Te₃ 近室温热电“基准材料”；粉体便于 SPS/热压制备块体与复合材料，用于对比 Seebeck/电导/热导与掺杂效应。 | |
硫族化物热电｜Bi–Se | 12068-69-8 | 硒化铋(III) | PrimorTrace™, ≥99.99% metals basis | Bi₂Se₃ 作为 Bi–Te–Se 固溶/调带隙组分常见；也用于薄膜与拓扑相关输运的热电耦合研究对照。 | |
硫族化物热电｜Sb₂Te₃ | 1327-50-0 | 碲化锑(III) | ≥99.96% metals basis, Powder | Sb₂Te₃ 经典 p 型层状热电材料；常与 Bi₂Te₃ 形成固溶体用于近室温性能优化，也常做拓扑/热电耦合研究对照。 | |
锑化物热电｜Zn–Sb（中温） | 12039-42-8 | 锑化锌 | ≥99.9% metals basis, powder,-80mesh | Zn–Sb 族中温热电材料（多为 p 型方向）；粉末便于固相反应与烧结，适合做相组成—输运性质关联、机械稳定性与降热导策略研究。 | |
锑化物热电｜ZnSb（中温） | 12039-35-9 | 单锑化锌 | ≥99.9% metals basis, -80目 | ZnSb 代表性中温 p 型热电材料；适合做成分偏离/缺陷化学与热稳定性对照，亦可用于 Zn–Sb 相区与输运机理研究。 | |
Skutterudite热电｜CoSb₃ | 12187-20-1 | 三锑化钴 | ≥99.9% metals basis, powder,＞80 mesh | CoSb₃ skutterudite 中高温热电母相；常通过填充/掺杂/纳米结构提升性能（降低晶格热导），该粉体适合直接做烧结与掺杂窗口研究。 | |
硅化物热电｜FeSi₂ | 12022-99-0 | 二硅化铁 | ≥99.9% metals basis, powder,-20mesh | β-FeSi₂ 等硅化物方向：高温稳定、相对耐氧化，适合高温热电与严苛环境对照研究；粉末便于热压/SPS 成型与复合设计。 | |
硅化物热电｜Mg–Si | 22831-39-6 | 硅化镁 | ≥99.7% metals basis, powder,3-12mm | Mg₂Si（Mg–Si 硅化物）轻质、相对低毒的 n 型热电方向常见母相；适合高温稳定性、掺杂与复合降热导研究。 | |
铜/银硫族化物热电｜Cu–Te | 12019-52-2 | 碲化铜 | ≥99% | Cu–Te 族硫族化物可用于热电与复合调控（作为二相/掺杂组分影响载流子与热导）；也常见于纳米结构与界面工程研究作为 Cu–Te 源。 |
注：以上为阿拉丁代表产品，更多产品规格请关注文末产品清单或可用“品名/CAS/货号”在阿拉丁官网检索。
阿拉丁：https://www.aladdin-e.com/
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