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为什么选择此级别
提供 ≥99.0% 纯度，适用于对基线干扰要求严格的色谱和分析工作流程。
储存与运输
室温。 。请查阅批次 COA 获取详细规格。
质量文档
SDS、COA、产品数据表及规格说明书均可下载。可通过批号查询获取批次 COA。
文献证明
在色谱分析、有机合成和交叉偶联反应领域已被 0 篇同行评审文献引用。
概述
benzo[de]isoquinolino[1,8-gh]quinoline diimide（BQQDI）在骨架的亚胺基的氮原子上连有苯乙基（-C2H4Ph）。
结构式
实物图
◆特点
可用于气相沉积法和涂布法的高性能n型有机半导体材料。
■ 高迁移性
· 涂布结晶形成的单晶在大气中的电子迁移速度为3 cm2/Vs
· 真空蒸镀膜在大气中的电子迁移速度超过0.6 cm2/Vs
■ 高稳定性
· 可在大气中长期保持稳定，不受器件结构的影响
· 单晶有机薄膜晶体管（OFET）可维持半年以上，蒸镀法OFET可维持一个月以上
· 迁移性降低率小于10%
■ 高耐性（PhC2-BQQDI）
· 在单晶OFET中，选择任意基板，都具有超过150°C的高耐热应力
· 良好的偏压应力
◆数据
①PhC2-BQQDI
LUMO能级估算、大气·热稳定性评估
● 通过循环伏安法（Cyclic Voltammetry，简称CV），估计LUMO为−4.11 eV（4-Hep-BQQDI具有优异的溶解性）
● 通过热重-差热分析法（Thermogravimetry−Differential Thermal Analysis，简称TG−DTA），在421 °C下未观察到分解或相变的热异常
● 大气储存下采用气相沉积法形成的100 nm薄膜在1个月内的紫外-可见光（UV-Vis）光谱无变化。
团聚体结构
呈砖砌型团聚体结构，能够观察到相邻BQQDI骨架之间的多分子相互作用，并可实现二维电荷传输。
PhC2-BQQDI的单晶OFET
评估大气中真空气相沉积OTFT特性（通道长/宽=100 µm/1000 µm）
（a）OTFT结构图
（b）PhC2-BQQDI和（c）PhC3-BQQDI在饱和区随基板温度变化的传输特性（漏极电压：50 V）
蓝线：室温、绿线：100°C、红线：180°C
（d）PhC2-BQQDI及（e）PhC3-BQQDI的迁移速度在大气中的经时变化
PhC2-BQQDI与PhC3-BQQDI
| 化合物 | 基板温度 | 平均（最大）迁移速度（cm2 V-1S-1）† | 平均阈值电压（V）† | 接触电阻（kΩ cm）‡ |
| PhC2-BQQDI | 室温 | 0.29（0.30） | 4.6 | 4.8±0.6 |
| PhC2-BQQDI | 100°C | 0.54（0.54） | 3.3 | 5.8±0.5 |
| PhC2-BQQDI | 180°C | 0.64（0.65） | 3.5 | 4.7±0.4 |
| PhC3-BQQDI | 室温 | 0.32（0.33） | 3.2 | 1.7±0.3 |
| PhC3-BQQDI | 100°C | 0.51（0.53） | 1.4 | 4.3±0.6 |
| PhC3-BQQDI | 180°C | 0.65（0.70） | 2.5 | 3.2±0.5 |
规格
规格或纯度
≥99.0%
英文名称
PhC2-BQQDI
储存条件
室温
纯度
≥99.0%
名称和识别符
分子类型
小分子
技术文档
高级数据
质检证书（CoA,COO,BSE/TSE 和分析图谱)
C of A & Other Certificates(BSE/TSE, COO):
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溶液计算器
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